Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
167W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
Trench Gate Field Stop
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
275,28 TL
137,64 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
330,34 TL
165,168 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
275,28 TL
137,64 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
330,34 TL
165,168 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 137,64 TL | 275,28 TL |
| 10 - 18 | 130,51 TL | 261,02 TL |
| 20 - 48 | 117,49 TL | 234,98 TL |
| 50 - 98 | 105,71 TL | 211,42 TL |
| 100+ | 100,44 TL | 200,88 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
167W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
Trench Gate Field Stop
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


