STGW20H60DF STMicroelectronics IGBT, 40 A, 600 V, 3-Pinli TO-247
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
167W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
Trench Gate Field Stop
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.305,10 TL
130,51 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
1.566,12 TL
156,612 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10
1.305,10 TL
130,51 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
1.566,12 TL
156,612 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
10
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 10 - 18 | 130,51 TL | 261,02 TL |
| 20 - 48 | 117,49 TL | 234,98 TL |
| 50 - 98 | 105,71 TL | 211,42 TL |
| 100+ | 100,44 TL | 200,88 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
167W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
Trench Gate Field Stop
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products