Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
54A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
167W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
70ns
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.7V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC
Genişlik
5.15 mm
Seri
SMPS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
194,77 TL
194,77 TL Each (KDV Hariç)
233,72 TL
233,72 TL Each KDV Dahil
Standart
1
194,77 TL
194,77 TL Each (KDV Hariç)
233,72 TL
233,72 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 1 - 9 | 194,77 TL |
| 10 - 99 | 107,65 TL |
| 100 - 599 | 87,85 TL |
| 600+ | 79,27 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
54A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
167W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
70ns
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.7V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC
Genişlik
5.15 mm
Seri
SMPS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
