Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
260W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
HB
Uzunluk
15.75mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
295,81 TL
147,906 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
354,97 TL
177,487 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
295,81 TL
147,906 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
354,97 TL
177,487 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Hendek Kapısı Alan Durdurma IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
260W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Seri
HB
Uzunluk
15.75mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
