Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
1200V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
220W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±25 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.75V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
14.8mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
ECOPACK, JEDEC JESD97
Genişlik
15.75 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
531,96 TL
265,98 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
638,35 TL
319,176 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
531,96 TL
265,98 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
638,35 TL
319,176 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 265,98 TL | 531,96 TL |
| 20 - 98 | 216,48 TL | 432,96 TL |
| 100 - 198 | 165,00 TL | 330,00 TL |
| 200+ | 146,19 TL | 292,38 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
1200V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
220W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±25 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.75V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
14.8mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
ECOPACK, JEDEC JESD97
Genişlik
15.75 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
