Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
200W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
14.8mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC Standard JESD97
Genişlik
15.75 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
4.844,40 TL
242,22 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
5.813,28 TL
290,664 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
20
4.844,40 TL
242,22 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
5.813,28 TL
290,664 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
20
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 20 - 98 | 242,22 TL | 484,44 TL |
| 100 - 198 | 216,48 TL | 432,96 TL |
| 200+ | 185,79 TL | 371,58 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
30A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
200W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.5V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
14.8mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
JEDEC Standard JESD97
Genişlik
15.75 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
