Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
283W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
5.15 mm
Seri
H
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
553,00 TL
276,50 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
663,60 TL
331,80 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
553,00 TL
276,50 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
663,60 TL
331,80 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 276,50 TL | 553,00 TL |
| 20 - 98 | 243,25 TL | 486,50 TL |
| 100 - 198 | 217,35 TL | 434,70 TL |
| 200+ | 186,55 TL | 373,10 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
IGBT
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
40A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
600V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
283W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
5.15 mm
Seri
H
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
