Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
80A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
375W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Seri
H
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.206,21 TL
241,24 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
1.447,45 TL
289,49 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
1.206,21 TL
241,24 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
1.447,45 TL
289,49 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 5 - 9 | 241,24 TL |
| 10 - 24 | 217,06 TL |
| 25 - 49 | 195,98 TL |
| 50+ | 185,44 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
80A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
375W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
±20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Seri
H
Yükseklik
20.15mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


