STGW80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-247

RS Stok Numarası: 792-5814PMarka: STMicroelectronicsÜretici Parça Numarası: STGW80H65DFB
brand-logo
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Ürün Tipi

IGBT

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)

650V

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

469W

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

İletken Tipi

N Tipi

Pim Sayısı

3

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)

±20 V

Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))

2V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

175°C

Yükseklik

20.15mm

Standartlar/Onaylar

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Seri

H

Otomotiv Standardı

NO

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Tümünü IGBT'ler içinde gör

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

305,85 TL

305,85 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

367,02 TL

367,02 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STGW80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-247
Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
1305,85 TL
2611,69 TL
3917,54 TL
41.223,38 TL
51.529,23 TL
61.835,08 TL
72.140,92 TL
82.446,77 TL
92.752,61 TL
103.058,46 TL
113.364,31 TL
123.670,15 TL
133.976,00 TL
144.281,84 TL
154.587,69 TL

305,85 TL

305,85 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)

367,02 TL

367,02 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil

STGW80H65DFB STMicroelectronics IGBT, 120 A, 650 V, 3-Pinli TO-247

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Üretime Uygun Paketleme (Tüp)

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
1305,85 TL
2611,69 TL
3917,54 TL
41.223,38 TL
51.529,23 TL
61.835,08 TL
72.140,92 TL
82.446,77 TL
92.752,61 TL
103.058,46 TL
113.364,31 TL
123.670,15 TL
133.976,00 TL
144.281,84 TL
154.587,69 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

STMicroelectronics

Ürün Tipi

IGBT

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)

650V

Maksimum Güç Kaybı (Pd)

469W

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Deliğe Takılan

İletken Tipi

N Tipi

Pim Sayısı

3

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)

±20 V

Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))

2V

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

175°C

Yükseklik

20.15mm

Standartlar/Onaylar

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Seri

H

Otomotiv Standardı

NO

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more