Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
86A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
272W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
21.1 mm
Seri
STG
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3.592,44 TL
119,748 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
4.310,93 TL
143,698 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
3.592,44 TL
119,748 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
4.310,93 TL
143,698 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
86A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
272W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
21.1 mm
Seri
STG
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
