Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
86A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
272W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
21.1 mm
Seri
STG
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
824,50 TL
164,90 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
989,40 TL
197,88 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
824,50 TL
164,90 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
989,40 TL
197,88 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 164,90 TL | 824,50 TL |
| 50 - 120 | 150,212 TL | 751,06 TL |
| 125+ | 125,188 TL | 625,94 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı (Ic)
86A
Ürün Tipi
IGBT
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi (Vceo)
650V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
272W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
İletken Tipi
N Tipi
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Tipi
1MHz
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi (VGEO)
20 V
Maksimum Kollektör Emitör Doygunluk Gerilimi (Vce(SAT))
2V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Genişlik
21.1 mm
Seri
STG
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.