Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
180A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Seri
STH200
Paket Tipi
H2PAK-2
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
4mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
93nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
340W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
296.730,00 TL
296,73 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
356.076,00 TL
356,076 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
296.730,00 TL
296,73 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
356.076,00 TL
356,076 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
180A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Seri
STH200
Paket Tipi
H2PAK-2
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
4mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
93nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
340W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
