Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
140A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
PowerFLAT
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
6.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.2 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
6.903,60 TL
138,072 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
8.284,32 TL
165,686 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
6.903,60 TL
138,072 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
8.284,32 TL
165,686 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 138,072 TL | 690,36 TL |
| 125+ | 113,256 TL | 566,28 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
140A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
PowerFLAT
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
2mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
125W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
6.15mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.2 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.