Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
15A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
5
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
215mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
24nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
8.1mm
Yükseklik
0.9mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
421.542,00 TL
140,514 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
505.850,40 TL
168,617 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
421.542,00 TL
140,514 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
505.850,40 TL
168,617 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
15A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
5
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
215mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
24nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
8.1mm
Yükseklik
0.9mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.