Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
40A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
30V
Seri
STripFET
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
25mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
İleri Gerilim (Vf)
1.1V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
50W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
4.5nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Transistör Yapılandırması
Tek
Uzunluk
6.2mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.1 mm
Yükseklik
0.95mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
599,76 TL
59,976 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
719,71 TL
71,971 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
599,76 TL
59,976 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
719,71 TL
71,971 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 59,976 TL | 599,76 TL |
| 100 - 490 | 39,984 TL | 399,84 TL |
| 500+ | 32,776 TL | 327,76 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
40A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
30V
Seri
STripFET
Paket Tipi
PowerFLAT
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
25mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
22 V
İleri Gerilim (Vf)
1.1V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
50W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
4.5nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Transistör Yapılandırması
Tek
Uzunluk
6.2mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.1 mm
Yükseklik
0.95mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.