Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
90A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
PowerFLAT
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5.4mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
94W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
25nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
5.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.35 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
5.365,20 TL
53,652 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
6.438,24 TL
64,382 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
5.365,20 TL
53,652 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
6.438,24 TL
64,382 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 100 - 490 | 53,652 TL | 536,52 TL |
| 500+ | 44,064 TL | 440,64 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
90A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
PowerFLAT
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5.4mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
94W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
25nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
5.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
6.35 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.