Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STO67N60DM6
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
59mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
72.5nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.2mm
Uzunluk
11.48mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
9.8 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
656,88 TL
328,44 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
788,26 TL
394,128 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2
656,88 TL
328,44 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
788,26 TL
394,128 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STO67N60DM6
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
59mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
150W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
72.5nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
2.2mm
Uzunluk
11.48mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
9.8 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.