Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
80A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
160W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
13.6nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
9.15mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
4.811,40 TL
96,228 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
5.773,68 TL
115,474 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
50
4.811,40 TL
96,228 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
5.773,68 TL
115,474 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
50
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 96,228 TL | 481,14 TL |
| 250 - 495 | 73,26 TL | 366,30 TL |
| 500+ | 64,944 TL | 324,72 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
80A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STripFET F7
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
5mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
160W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
13.6nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
9.15mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.