Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
4.2mΩ
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
127nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
4.046,00 TL
202,30 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
4.855,20 TL
242,76 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
20
4.046,00 TL
202,30 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
4.855,20 TL
242,76 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
20
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 20 - 98 | 202,30 TL | 404,60 TL |
| 100 - 198 | 180,54 TL | 361,08 TL |
| 200+ | 155,04 TL | 310,08 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
4.2mΩ
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
127nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
20 V
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
