Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
4.2mΩ
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
127nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
50
Teklif İsteyiniz
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
110A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
100V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
4.2mΩ
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.2V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
127nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
