Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
18.5A
Pim Sayısı
3
Paket Tipi
TO-220
Düşme Süresi
40ns
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
27ns
Minimum Besleme Gerilimi
3V
Maksimum Besleme Gerilimi
30V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
34.95mm
Standartlar/Onaylar
No
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
13.701,60 TL
274,032 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
16.441,92 TL
328,838 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
13.701,60 TL
274,032 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
16.441,92 TL
328,838 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
18.5A
Pim Sayısı
3
Paket Tipi
TO-220
Düşme Süresi
40ns
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
27ns
Minimum Besleme Gerilimi
3V
Maksimum Besleme Gerilimi
30V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
15.75mm
Yükseklik
34.95mm
Standartlar/Onaylar
No
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.