Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
15A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
195mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
24nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
15.75mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
7.986,00 TL
159,72 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
9.583,20 TL
191,664 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
7.986,00 TL
159,72 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
9.583,20 TL
191,664 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
15A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
195mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
110W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
24nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
15.75mm
Uzunluk
10.4mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
