Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
36A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-LL
Seri
STP50N60DM6
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
80mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
4.4mm
Uzunluk
28.9mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
10 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
11.949,30 TL
238,986 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
14.339,16 TL
286,783 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
11.949,30 TL
238,986 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
14.339,16 TL
286,783 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
36A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
600V
Paket Tipi
TO-LL
Seri
STP50N60DM6
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
80mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
55nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
4.4mm
Uzunluk
28.9mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
10 mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
