Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STP
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
140W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
80nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
30 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
28.9mm
Standartlar/Onaylar
UL
Genişlik
10.4 mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. This MOSFET is Recommended for flyback topology, based applications such as LED lighting, chargers and adapters. Provide more power density reducing both BOM cost and size of the board.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1.713,60 TL
342,72 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
2.056,32 TL
411,264 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
1.713,60 TL
342,72 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
2.056,32 TL
411,264 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
5
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 342,72 TL | 1.713,60 TL |
| 50 - 120 | 312,256 TL | 1.561,28 TL |
| 125+ | 260,168 TL | 1.300,84 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-220
Seri
STP
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
140W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
80nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
30 V
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Yükseklik
4.6mm
Uzunluk
28.9mm
Standartlar/Onaylar
UL
Genişlik
10.4 mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. This MOSFET is Recommended for flyback topology, based applications such as LED lighting, chargers and adapters. Provide more power density reducing both BOM cost and size of the board.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
