Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
10A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
800V
Paket Tipi
TO-220
Seri
MDmesh K6
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.6Ω
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
25.9nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
250,24 TL
250,24 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
300,29 TL
300,29 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
250,24 TL
250,24 TL Each (Supplied in a Tube) (KDV Hariç)
300,29 TL
300,29 TL Each (Supplied in a Tube) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
10A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
800V
Paket Tipi
TO-220
Seri
MDmesh K6
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.6Ω
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
25.9nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.