Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
HU3PAK
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
30A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Silikon Karbür Schottky Diyot
Seri
STPSC
Redresör Tipi
SiC Schottky
Pim Sayısı
7
Tepe Ters Akım (Ir)
1200μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
1100A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
11.9mm
Yükseklik
3.6mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
185.605,20 TL
309,342 TL Each (On a Reel of 600) (KDV Hariç)
222.726,24 TL
371,21 TL Each (On a Reel of 600) KDV Dahil
600
185.605,20 TL
309,342 TL Each (On a Reel of 600) (KDV Hariç)
222.726,24 TL
371,21 TL Each (On a Reel of 600) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
600
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
HU3PAK
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
30A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Silikon Karbür Schottky Diyot
Seri
STPSC
Redresör Tipi
SiC Schottky
Pim Sayısı
7
Tepe Ters Akım (Ir)
1200μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.3V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
1100A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
11.9mm
Yükseklik
3.6mm
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
