Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Doğrultucu ve Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
DO-247 LL
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
30A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPS
Redresör Tipi
Doğrultucu Diyot
Pim Sayısı
2
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
1550A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
41.2mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
26.211,24 TL
873,708 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
31.453,49 TL
1.048,45 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
26.211,24 TL
873,708 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
31.453,49 TL
1.048,45 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Doğrultucu ve Schottky Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
DO-247 LL
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
30A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
1200V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPS
Redresör Tipi
Doğrultucu Diyot
Pim Sayısı
2
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
1550A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
15.9mm
Yükseklik
41.2mm
Standartlar/Onaylar
RoHS
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
