Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Diyot
Montaj Tipi
Yüzey
Paket Tipi
TO-263
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
4A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
35μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
2.25V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
200A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
28.25mm
Yükseklik
4.5mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
177.870,00 TL
71,148 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
213.444,00 TL
85,378 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
177.870,00 TL
71,148 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
213.444,00 TL
85,378 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Diyot
Montaj Tipi
Yüzey
Paket Tipi
TO-263
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
4A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
35μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
2.25V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
200A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
28.25mm
Yükseklik
4.5mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
