Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-220
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
22A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC
Redresör Tipi
Schottky Diyot
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
0.17mA
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
200A
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
2.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
15.9mm
Çap
3.75 mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Uzunluk
10.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teklif İsteyiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Diyot
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Paket Tipi
TO-220
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
22A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC
Redresör Tipi
Schottky Diyot
Pim Sayısı
2
Tepe Ters Akım (Ir)
0.17mA
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
200A
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
2.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
15.9mm
Çap
3.75 mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
4.6 mm
Uzunluk
10.4mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier.