Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Diyot
Montaj Tipi
Yüzey
Paket Tipi
PowerFLAT
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
8A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC
Pim Sayısı
5
Tepe Ters Akım (Ir)
65μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.95V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
800A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
7.9mm
Yükseklik
0.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics 650V power schottky silicon carbide diode has a current rating of 8A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. It enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom & network, industrial or renewable energy domain.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
416.988,00 TL
138,996 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
500.385,60 TL
166,795 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
416.988,00 TL
138,996 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
500.385,60 TL
166,795 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Diyot
Montaj Tipi
Yüzey
Paket Tipi
PowerFLAT
Maksimum Sürekli İleri Akım (If)
8A
Tepe Ters Tekrarlı Gerilim (Vrrm)
650V
Diyot Konfigürasyonu
Tek
Seri
STPSC
Pim Sayısı
5
Tepe Ters Akım (Ir)
65μA
Maksimum İleri Gerilim (Vf)
1.95V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Tepe Tepkisiz İleri Dalgalanma Akımı (Ifsm)
800A
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Uzunluk
7.9mm
Yükseklik
0.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics 650V power schottky silicon carbide diode has a current rating of 8A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. It enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom & network, industrial or renewable energy domain.