Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Güç MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
4A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
SOIC
Seri
STripFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
55mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
2W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
15nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Transistör Yapılandırması
Yalıtımlı
Yükseklik
1.25mm
Uzunluk
5mm
Standartlar/Onaylar
No
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
5

Teklif İsteyiniz
Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
5

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Güç MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
4A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
60V
Paket Tipi
SOIC
Seri
STripFET
Montaj Tipi
Yüzey
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
55mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
2W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
15nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Transistör Yapılandırması
Yalıtımlı
Yükseklik
1.25mm
Uzunluk
5mm
Standartlar/Onaylar
No
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.