Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-247
Seri
DM6
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
91mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
52.5nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.15 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
10.736,52 TL
357,884 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
12.883,82 TL
429,461 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
10.736,52 TL
357,884 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
12.883,82 TL
429,461 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
33A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Paket Tipi
TO-247
Seri
DM6
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
91mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
250W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
52.5nC
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
175°C
Yükseklik
20.15mm
Uzunluk
15.75mm
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.15 mm
Otomotiv Standardı
NO
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
