Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
30V
Paket Tipi
TO-247
Seri
STW
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
118nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
480W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
40.92mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
UL
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
782,89 TL
782,89 TL Each (Supplied in a Tray) (KDV Hariç)
939,47 TL
939,47 TL Each (Supplied in a Tray) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Tepsi)
1
782,89 TL
782,89 TL Each (Supplied in a Tray) (KDV Hariç)
939,47 TL
939,47 TL Each (Supplied in a Tray) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tepsi)
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
İletken Tipi
N Tipi
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
55A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
30V
Paket Tipi
TO-247
Seri
STW
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
45mΩ
Kanal Modu
Artırma
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
118nC
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
480W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Gerilim (Vf)
1.5V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
40.92mm
Yükseklik
5.1mm
Standartlar/Onaylar
UL
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
