Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
68A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Seri
ST
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.036Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
450W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
125nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.1 mm
Yükseklik
41.2mm
Uzunluk
15.9mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
18.690,48 TL
623,016 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
22.428,58 TL
747,619 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
18.690,48 TL
623,016 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
22.428,58 TL
747,619 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
30
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N Tipi
Ürün Tipi
MOSFET
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı (Id)
68A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi (Vds)
650V
Seri
ST
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Deliğe Takılan
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynak Direnci (Rds)
0.036Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi (Vgs)
25 V
İleri Gerilim (Vf)
1.6V
Maksimum Güç Kaybı (Pd)
450W
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı (Qg)
125nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Standartlar/Onaylar
No
Genişlik
5.1 mm
Yükseklik
41.2mm
Uzunluk
15.9mm
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.