Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
10mA
Pim Sayısı
14
Düşme Süresi
90ns
Paket Tipi
SO-16
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
175ns
Minimum Besleme Gerilimi
26V
Sürücülerin Sayısı
1
Maksimum Besleme Gerilimi
26V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
125°C
Uzunluk
8.75mm
Yükseklik
1.65mm
Standartlar/Onaylar
No
Montaj Tipi
Yüzey
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The TD350E device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.
The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.
The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.
The device also includes IGBT desaturation protection and a FAULT status output, and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
238.095,00 TL
95,238 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
285.714,00 TL
114,286 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
238.095,00 TL
95,238 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
285.714,00 TL
114,286 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2500
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
MOSFET
Çıkış Akımı
10mA
Pim Sayısı
14
Düşme Süresi
90ns
Paket Tipi
SO-16
Sürücü Tipi
MOSFET
Yükselme Süresi
175ns
Minimum Besleme Gerilimi
26V
Sürücülerin Sayısı
1
Maksimum Besleme Gerilimi
26V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
125°C
Uzunluk
8.75mm
Yükseklik
1.65mm
Standartlar/Onaylar
No
Montaj Tipi
Yüzey
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The TD350E device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.
The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.
The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.
The device also includes IGBT desaturation protection and a FAULT status output, and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.