Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Gerilim-Frekans Dönüştürücü
Konverter İşlevi
VFC, FVC
Konverter Tipi
Gerilim
Tam Ölçek Frekansı
1kHz
Doğrusallık Hatası
1 %FSR
Güç Beslemesi Tipi
Tek
Minimum Besleme Gerilimi
4.5V
Maksimum Besleme Gerilimi
30V
Montaj Tipi
Yüzey
Paket Tipi
SSOP
Pim Sayısı
10
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
5mm
Yükseklik
1.5mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The device is a high voltage converter smartly integrating an 800 V avalanche-rugged power MOSFET with PWM current mode control. The power MOSFET with 800 V breakdown voltage allows the extended input voltage range to be applied, as well as the size of the DRAIN snubber circuit to be reduced. This IC meets the most stringent energy-saving standards as it has very low consumption and operates in pulse frequency modulation under light load.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
693,66 TL
69,366 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
832,39 TL
83,239 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
693,66 TL
69,366 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
832,39 TL
83,239 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 69,366 TL | 693,66 TL |
| 50 - 90 | 65,868 TL | 658,68 TL |
| 100 - 240 | 59,268 TL | 592,68 TL |
| 250+ | 56,43 TL | 564,30 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsÜrün Tipi
Gerilim-Frekans Dönüştürücü
Konverter İşlevi
VFC, FVC
Konverter Tipi
Gerilim
Tam Ölçek Frekansı
1kHz
Doğrusallık Hatası
1 %FSR
Güç Beslemesi Tipi
Tek
Minimum Besleme Gerilimi
4.5V
Maksimum Besleme Gerilimi
30V
Montaj Tipi
Yüzey
Paket Tipi
SSOP
Pim Sayısı
10
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
150°C
Uzunluk
5mm
Yükseklik
1.5mm
Standartlar/Onaylar
No
Otomotiv Standardı
NO
Ürün Ayrıntıları
The device is a high voltage converter smartly integrating an 800 V avalanche-rugged power MOSFET with PWM current mode control. The power MOSFET with 800 V breakdown voltage allows the extended input voltage range to be applied, as well as the size of the DRAIN snubber circuit to be reduced. This IC meets the most stringent energy-saving standards as it has very low consumption and operates in pulse frequency modulation under light load.